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IPZ40N04S5L2R8ATMA1 Canal N Montaje en superficie 40V 40 A (Tc) 71W (Tc) PG-TSDSON-8
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1 1.69000 $1.69
10 1.49900 $14.99
100 1.18470 $118.47
500 0.91876 $459.38
1,000 0.72534 $725.34

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPZ40N04S5L2R8ATMA1CT-ND
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Cantidad disponible 22,708
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 8TDSON
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 40 A (Tc) 71W (Tc) PG-TSDSON-8

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Documentos y medios
Hojas de datos IPZ40N04S5L-2R8
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Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 40 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.8mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2V a 30µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 52nC @ 10V
Vgs (máx.) ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2800pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 71W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
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07:06:03 4/25/2019