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IPW90R800C3FKSA1 Canal N Orificio pasante 900V 6.9 A (Tc) 104 W (Tc) PG-TO247-3
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Número de pieza de Digi-Key IPW90R800C3FKSA1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPW90R800C3FKSA1

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Descripción MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-247
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 900V 6.9 A (Tc) 104 W (Tc) PG-TO247-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPW90R800C3
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Obsolescencia PCN/ EOL Mult Devices EOL 31/Aug/2017
Modelos de simulación CoolMOS™ Power MOSFET 900V C3 Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 900V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6.9 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 800 mOhm a 4.1 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 460 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 42nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1100pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 104 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 240
Otros nombres IPW90R800C3
IPW90R800C3-ND
SP000413758

06:29:28 11/16/2018