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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPW65R190CFDFKSA1-ND
Cantidad disponible 4,816
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPW65R190CFDFKSA1

Descripción MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 17.5 A (Tc) 151 W (Tc) PG-TO247-3

Documentos y medios
Hojas de datos IPx65R190CFD
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 17.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 730 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 68nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1850pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 151 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 190 mOhm a 7.3 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Para usar con
Recursos adicionales
Envase estándar ? 240
Otros nombres IPW65R190CFD
IPW65R190CFD-ND
SP000905376

20:28:39 2/24/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.73000 $3.73
10 3.32600 $33.26
100 2.72740 $272.74
500 2.20854 $1,104.27
1,000 1.86263 $1,862.63

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