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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPW65R080CFDAFKSA1-ND
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Cantidad disponible 1,190
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPW65R080CFDAFKSA1

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Descripción MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247
Copiar   MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 43.3 A (Tc) 391W (Tc) PG-TO247-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPW65R080CFDA
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Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 43.3 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 80mOhm a 17.6A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5V a 1.76mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 161nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4440pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 391W (Tc)
Temperatura de operación -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Para usar con
  • 2EDN7524FXTMA1 - Infineon Technologies | 2EDN7524FXTMA1CT-ND DigiKey Electronics
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  • 2EDN7524RXUMA1
  • Infineon Technologies
  • IC GATE DRVR 8TSSOP
  • Precio unitario $1.68000
  • 2EDN7524RXUMA1CT-ND
  • 2EDN7523FXTMA1 - Infineon Technologies | 2EDN7523FXTMA1CT-ND DigiKey Electronics
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  • IC GATE DRVR 8DSO
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  • 2EDN7523FXTMA1CT-ND
  • 2EDN7524FXTMA1 - Infineon Technologies | 2EDN7524FXTMA1DKR-ND DigiKey Electronics
  • 2EDN7524FXTMA1
  • Infineon Technologies
  • IC GATE DRVR 8SOIC
  • Precio unitario Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
  • 2EDN7524FXTMA1DKR-ND
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