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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPW65R070C6FKSA1-ND
Cantidad disponible 480
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPW65R070C6FKSA1

Descripción MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 53.5 A (Tc) 391 W (Tc) PG-TO247-3

Documentos y medios
Hojas de datos IPW65R070C6
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 53.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 1.76 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 170nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3900pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 391 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 70 mOhm a 17.6 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Para usar con
Recursos adicionales
Envase estándar ? 240
Otros nombres IPW65R070C6
IPW65R070C6-ND
SP000745034

10:01:00 2/22/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 10.11000 $10.11
10 9.10200 $91.02
100 7.48390 $748.39
500 6.27030 $3,135.15

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