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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPW60R190E6FKSA1-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPW60R190E6FKSA1

Descripción MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 20.2 A (Tc) 151 W (Tc) PG-TO247-3

Documentos y medios
Hojas de datos IPx60R190E6
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Producto destacado Data Processing Systems
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20.2 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 630 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 63nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1400pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 151 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 190 mOhm a 9.5 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Para usar con
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 240
Otros nombres IPW60R190E6
IPW60R190E6-ND
SP000797384

06:56:03 2/25/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.58000 $3.58
10 3.20000 $32.00
100 2.62410 $262.41
500 2.12492 $1,062.46
1,000 1.79210 $1,792.10

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