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IPW60R045CPFKSA1 Canal N Orificio pasante 650V 60 A (Tc) 431W (Tc) PG-TO247-3
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10 17.48300 $174.83
240 15.06846 $3,616.43
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPW60R045CPFKSA1-ND
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IPW60R045CPFKSA1

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Descripción MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 60 A (Tc) 431W (Tc) PG-TO247-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPW60R045CP
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 60 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 45mOhm a 44A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5V a 3mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 190nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6800pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 431W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Envase estándar ? 240
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IPW60R045CPIN
IPW60R045CPIN-ND
IPW60R045CPXK
IPW60R045CSX
SP000067149

11:12:08 4/26/2019