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IPW50R250CPFKSA1 Canal N Orificio pasante 500V 13 A (Tc) 114 W (Tc) PG-TO247-3
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1 3.50000 $3.50
10 3.12500 $31.25
240 2.56258 $615.02
720 2.07507 $1,494.05
1,200 1.75006 $2,100.07

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPW50R250CPFKSA1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPW50R250CPFKSA1

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Descripción MOSFET N-CH 500V 13A TO-247
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 500V 13 A (Tc) 114 W (Tc) PG-TO247-3

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Reemplazo directo ?
Número de pieza de Digi-Key Número de pieza del fabricante Fabricante Empaquetado Cantidad disponible Precio unitario Cantidad mínima
497-3258-5-ND STW14NK50Z STMicroelectronics Tubo ? 534 - Inmediata
$4.09000 1
Documentos y medios
Hojas de datos IPW50R250CP
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Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 13 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 250 mOhm a 7.8 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 520 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 36nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1420pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 114 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 240
Otros nombres IPW50R250CP
IPW50R250CP-ND
SP000301162

17:38:25 10/18/2018