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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPU95R750P7AKMA1-ND
Cantidad disponible 500
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPU95R750P7AKMA1

Descripción MOSFET N-CH 950V 9A TO251
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 950V 9 A (Tc) 73 W (Tc) PG-TO251-3

Documentos y medios
Hojas de datos IPU95R750P7
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™ P7
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 950V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 750 mOhm a 4.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 220 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 23nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 712pF @ 400V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 73 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO251-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) No aplicable
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,500
Otros nombres SP001792324

22:55:38 8/14/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.87000 $1.87
10 1.69200 $16.92
100 1.35950 $135.95
500 1.05736 $528.68
1,000 0.87610 $876.10

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