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1 2.08000 $2.08
10 1.88900 $18.89
100 1.53900 $153.90
500 1.22140 $610.70
1,000 1.03084 $1,030.84
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPU95R750P7AKMA1-ND
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Cantidad disponible 490
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPU95R750P7AKMA1

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Descripción MOSFET N-CH 950V 9A TO251
Copiar   MOSFET N-CH 950V 9A TO251
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 950V 9 A (Tc) 73 W (Tc) PG-TO251-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPU95R750P7
Archivo de video Infineon 950 V CoolMOS™ P7 MOSFETs | Digi-Key Daily
Producto destacado 950 V CoolMOS™ P7 MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™ P7
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 950V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 750 mOhm a 4.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 220 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 23nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 712pF @ 400V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 73 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO251-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) No aplicable
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,500
Otros nombres SP001792324

16:30:51 10/21/2018