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10 1.57400 $15.74
100 1.26100 $126.10
500 0.99658 $498.29
1,000 0.80427 $804.27
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPU95R1K2P7AKMA1-ND
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Cantidad disponible 480
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPU95R1K2P7AKMA1

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Descripción MOSFET N-CH 950V 6A TO251
Copiar   MOSFET N-CH 950V 6A TO251
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 950V 6 A (Tc) 52 W (Tc) PG-TO251-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPU95R1K2P7
Archivo de video Infineon 950 V CoolMOS™ P7 MOSFETs | Digi-Key Daily
Producto destacado 950 V CoolMOS™ P7 MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™ P7
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 950V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.2 Ohm a 2.7 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 140 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 478pF @ 400V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 52 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO251-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) No aplicable
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,500
Otros nombres SP001792322

15:43:49 10/17/2018