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100 4.75420 $475.42
500 4.19490 $2,097.45
1,000 3.77541 $3,775.41

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  • Cinta y rollo (TR)  : IPT020N10N3ATMA1TR-ND
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  • Digi-Reel®  : IPT020N10N3ATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 24,395 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IPT020N10N3ATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IPT020N10N3ATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IPT020N10N3ATMA1
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Descripción MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
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Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 300 A (Tc) 375W (Tc) PG-HSOF-8-1

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Documentos y medios
Hojas de datos IPT020N10N3 Preliminary
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 300 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2mOhm a 150A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 272µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 156nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 11200pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-HSOF-8-1
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerSFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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