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10 6.96500 $69.65
100 5.72660 $572.66
500 4.79798 $2,398.99
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPT012N08N5ATMA1CT-ND
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Cantidad disponible 2,219
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPT012N08N5ATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 80V 300 A (Tc) 375W (Tc) PG-HSOF-8-1

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Documentos y medios
Hojas de datos IPT012N08N5
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 300 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.2mOhm a 150A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.8V a 280µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 223nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 17000pF @ 40V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 375W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-HSOF-8-1
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerSFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IPT012N08N5ATMA1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 1
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09:44:07 4/26/2019