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  • Estado de la pieza: Fin de serie; Último día para la compra: 08-31-2018. Se pueden aplicar cantidades mínimas.
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPS65R1K5CEAKMA1-ND
Cantidad disponible 3,064
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPS65R1K5CEAKMA1

Descripción MOSFET N-CH 650V TO-251-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 3.1 A (Tc) 28 W (Tc) TO-251

Documentos y medios
Hojas de datos IPS65R1K5CE
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Obsolescencia PCN/ EOL Mult Devices EOL 31/Aug/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™ CE
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Última compra
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3.1 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 100 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 10.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 225pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 28 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.5 Ohm a 1 A, 10 V
Temperatura de operación -40 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-251
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores de tope, IPak
 
Para usar con
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,500
Otros nombres SP001276050

15:54:20 2/25/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.66000 $0.66
10 0.58100 $5.81
100 0.44850 $44.85
500 0.33220 $166.10
1,000 0.26576 $265.76

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