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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPS65R1K4C6AKMA1-ND
Cantidad disponible 1,607
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPS65R1K4C6AKMA1

Descripción MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 3.2 A (Tc) 28 W (Tc) PG-TO251-3

Documentos y medios
Hojas de datos IPS65R1K4C6
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN DPAK/IPAK Dev Assembly Site Add 20/Jul/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3.2 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 100 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 10.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 225pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 28 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.4 Ohm a 1 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO251-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores de tope, IPak
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,500
Otros nombres SP000991120

19:22:11 2/18/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.97000 $0.97
10 0.85800 $8.58
100 0.67830 $67.83
500 0.52606 $263.03
1,000 0.41531 $415.31

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