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IPP80R900P7XKSA1 Canal N Orificio pasante 800V 6 A (Tc) 45 W (Tc) PG-TO220-3
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1 1.70000 $1.70
10 1.50600 $15.06
100 1.19010 $119.01
500 0.92294 $461.47
1,000 0.72864 $728.64
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP80R900P7XKSA1-ND
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Cantidad disponible 370
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPP80R900P7XKSA1

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Descripción MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 800V 6 A (Tc) 45 W (Tc) PG-TO220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPP80R900P7
Modelos de simulación CoolMOS™ Power MOSFET 800V P7 Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™ P7
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 900 mOhm a 2.2 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 110 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 350pF @ 500V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 45 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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  • MOSFET N-CH 800V 7A TO220-3
  • Precio unitario $1.86000
  • IPP80R750P7XKSA1-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SP001633486

15:49:34 10/17/2018