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IPP80R1K4P7XKSA1 Canal N Orificio pasante 800V 4 A (Tc) 32 W (Tc) PG-TO-220-3
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10 1.28300 $12.83
100 1.01360 $101.36
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1,000 0.62057 $620.57
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP80R1K4P7XKSA1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPP80R1K4P7XKSA1

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Descripción MOSFET N-CH 800V 4A TO220
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 800V 4 A (Tc) 32 W (Tc) PG-TO-220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPP80R1K4P7
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Modelos de simulación CoolMOS™ Power MOSFET 800V P7 Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.4 Ohm a 1.4 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 70 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 10nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 250pF @ 500V
Característica de FET Súper empalme
Disipación de potencia (máx.) 32 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SP001422718

15:08:08 10/15/2018