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IPP80P03P4L04AKSA1 Canal P Orificio pasante 30V 80 A (Tc) 137 W (Tc) PG-TO220-3-1
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP80P03P4L04AKSA1-ND
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Cantidad disponible 0
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPP80P03P4L04AKSA1

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Descripción MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
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Descripción detallada

Canal P Orificio pasante 30V 80 A (Tc) 137 W (Tc) PG-TO220-3-1

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Documentos y medios
Hojas de datos IPx80P03P4L-04
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Producto destacado Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN Wafer Test Add 27/Apr/2017
Modelos de simulación OptiMOS-P2-Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 80 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.4mOhm a 80 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 253 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 160nC @ 10V
Vgs (máx.) +5 V, -16 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 11300pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 137 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres IPP80P03P4L-04
IPP80P03P4L-04-ND
SP000396390
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.49000 $2.49
50 2.01160 $100.58
100 1.81050 $181.05
500 1.40814 $704.07
1,000 1.16675 $1,166.75

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19:53:43 9/25/2018