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IPP80N06S209AKSA2 Canal N Orificio pasante 55V 80 A (Tc) 190 W (Tc) PG-TO220-3-1
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100 1.20710 $120.71
500 0.93612 $468.06
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP80N06S209AKSA2-ND
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Número de pieza del fabricante

IPP80N06S209AKSA2

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Descripción MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 55V 80 A (Tc) 190 W (Tc) PG-TO220-3-1

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Documentos y medios
Hojas de datos IPx80N06S2-09
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 80 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 9.1 mOhm a 50 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 125 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 80nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2360pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 190 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SP001061400

17:04:43 12/9/2018