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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP65R190C7FKSA1-ND
Cantidad disponible 757
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP65R190C7FKSA1

Descripción MOSFET N-CH 650V 13A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 22 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 13 A (Tc) 72 W (Tc) PG-TO-220-3

Documentos y medios
Hojas de datos IPP65R190C7
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN Wafer Process Update 28/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™ C7
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 13 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 290 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 23nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1150pF @ 400V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 72 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 190 mOhm a 5.7 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Para usar con
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres SP000929426

17:10:32 2/21/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.39000 $3.39
10 3.06400 $30.64
100 2.46210 $246.21
500 1.91500 $957.50
1,000 1.58671 $1,586.71

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