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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP65R150CFDXKSA1-ND
Cantidad disponible 495
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP65R150CFDXKSA1

Descripción MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 22.4 A (Tc) 195.3 W (Tc) PG-TO-220-3

Documentos y medios
Hojas de datos IPx65R150CFD
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Producto destacado Data Processing Systems
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 22.4 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 900 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 86nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2340pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 195.3 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 150 mOhm a 9.3 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Para usar con
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SP000907024

09:37:26 2/22/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.74000 $3.74
10 3.34100 $33.41
100 2.73940 $273.94
500 2.21822 $1,109.11
1,000 1.87079 $1,870.79

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