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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP60R600P7XKSA1-ND
Cantidad disponible 474
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP60R600P7XKSA1

Descripción MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 6 A (Tc) 30 W (Tc) PG-TO220-3

Documentos y medios
Hojas de datos IPP60R600P7
Modelos de simulación CoolMOS™ Power MOSFET 600V P7 Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™ P7
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 600 mOhm a 1.7 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 80 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 363pF @ 400V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 30 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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  • MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
  • Precio unitario $1.86000
  • IPP60R360P7XKSA1-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SP001606032

13:41:22 8/18/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.79000 $1.79
10 1.58500 $15.85
100 1.25290 $125.29
500 0.97166 $485.83
1,000 0.76711 $767.11

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