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IPP60R299CPXKSA1 Canal N Orificio pasante 650V 11 A (Tc) 96 W (Tc) PG-TO-220-3
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1 3.45000 $3.45
10 3.13700 $31.37
100 2.55660 $255.66
500 2.02892 $1,014.46
1,000 1.71235 $1,712.35
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP60R299CPXKSA1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPP60R299CPXKSA1

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Descripción MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 11 A (Tc) 96 W (Tc) PG-TO-220-3

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Reemplazo directo ?
Número de pieza de Digi-Key Número de pieza del fabricante Fabricante Empaquetado Cantidad disponible Precio unitario Cantidad mínima
497-13779-5-ND STP13N80K5 STMicroelectronics Tubo ? 1 - Inmediata
$5.42000 1
Documentos y medios
Hojas de datos IPP60R299CP
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Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 299 mOhm a 6.6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 440 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 29nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1100pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 96 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP60R299CP
IPP60R299CPAKSA1
IPP60R299CPIN
IPP60R299CPIN-ND
IPP60R299CPX
IPP60R299CPXK
IPP60R299CPXTIN
IPP60R299CPXTIN-ND
SP000084280

13:24:43 10/15/2018