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IPP60R280CFD7XKSA1 Canal N Orificio pasante 650V 9 A (Tc) 52 W (Tc) PG-TO220-3
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.66000 $2.66
10 2.41900 $24.19
100 1.97080 $197.08
500 1.56404 $782.02
1,000 1.32001 $1,320.01
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP60R280CFD7XKSA1-ND
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Cantidad disponible 0
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPP60R280CFD7XKSA1

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Descripción MOSFET N-CH TO220-3
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 9 A (Tc) 52 W (Tc) PG-TO220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPP60R280CFD7
Archivo de video Infineon 600 V CoolMOS MOSFET Family | Digi-Key Daily
Producto destacado 600 V CoolMOS™ CFD7 MOSFET Family
Modelos de simulación MOSFET CoolMOS™ CFD7 600V Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™ CFD7
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 280 mOhm a 3.6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 180 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 18nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 807pF @ 400V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 52 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 650V 31A TO252-3
  • Precio unitario $2.48000
  • IPD60R280CFD7ATMA1CT-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP60R280CFD7
SP001634130

18:42:12 10/15/2018