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IPP60R199CPXKSA1 Canal N Orificio pasante 650V 16 A (Tc) 139 W (Tc) PG-TO-220-3
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP60R199CPXKSA1-ND
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Cantidad disponible 434
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPP60R199CPXKSA1

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Descripción MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 16 A (Tc) 139 W (Tc) PG-TO-220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPP60R199CP
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Modelos de simulación CoolMOS™ Power MOSFET 600V CP Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 16 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 199 mOhm a 9.9 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 660 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 43nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1520pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 139 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP60R199CP
IPP60R199CP-ND
IPP60R199CPAKSA1
IPP60R199CPIN
IPP60R199CPIN-ND
IPP60R199CPX
IPP60R199CPXK
SP000084278
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.97000 $4.97
10 4.43700 $44.37
100 3.63840 $363.84
500 2.94618 $1,473.09
1,000 2.48473 $2,484.73

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11:53:26 9/20/2018