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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP60R199CPXKSA1-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP60R199CPXKSA1

Descripción MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 16 A (Tc) 139 W (Tc) PG-TO-220-3

Documentos y medios
Hojas de datos IPP60R199CP
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Producto destacado Data Processing Systems
Diseño/especificación de PCN Wafer Dia/Halogen free mold Chg 2/Mar/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 16 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 660 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 43nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1520pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 139 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 199 mOhm a 9.9 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP60R199CP
IPP60R199CP-ND
IPP60R199CPAKSA1
IPP60R199CPIN
IPP60R199CPIN-ND
IPP60R199CPX
IPP60R199CPXK
SP000084278

20:42:18 2/25/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.66000 $3.66
10 3.27200 $32.72
100 2.68300 $268.30
500 2.17258 $1,086.29
1,000 1.83229 $1,832.29

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