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IPP60R170CFD7XKSA1 Canal N Orificio pasante 650V 14 A (Tc) 75 W (Tc) PG-TO220-3
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Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.53000 $3.53
10 3.20200 $32.02
100 2.60930 $260.93
500 2.07078 $1,035.39
1,000 1.74769 $1,747.69
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP60R170CFD7XKSA1-ND
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Cantidad disponible 210
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPP60R170CFD7XKSA1

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Descripción MOSFET N-CH TO220-3
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 14 A (Tc) 75 W (Tc) PG-TO220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPP60R170CFD7
Archivo de video Infineon 600 V CoolMOS MOSFET Family | Digi-Key Daily
Producto destacado 600 V CoolMOS™ CFD7 MOSFET Family
Modelos de simulación MOSFET CoolMOS™ CFD7 600V Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™ CFD7
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 14 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 170 mOhm a 6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 300 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 28nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1199pF @ 400V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 75 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP60R170CFD7
SP001617974

22:16:02 12/13/2018