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IPP60R125CFD7XKSA1 Canal N Orificio pasante 600V 18 A (Tc) 92 W (Tc) PG-TO220-3
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Cantidad
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1 4.62000 $4.62
10 4.12200 $41.22
100 3.38000 $338.00
500 2.73700 $1,368.50
1,000 2.30831 $2,308.31

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP60R125CFD7XKSA1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPP60R125CFD7XKSA1

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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 18 A (Tc) 92 W (Tc) PG-TO220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPP60R125CFD7
600 V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET Brief
Modelos de simulación MOSFET CoolMOS™ CFD7 600V Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 125 mOhm a 7.8 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 390 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 36nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1503pF @ 400V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 92 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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  • MOSFET N-CH TO220-3
  • Precio unitario $3.53000
  • IPP60R170CFD7XKSA1-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SP001686028

20:56:13 12/16/2018