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IPP60R070CFD7XKSA1 Canal N Orificio pasante 650V 31 A (Tc) 156W (Tc) PG-TO220-3
Precio y compra
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.31000 $6.31
10 5.70400 $57.04
25 5.43880 $135.97
100 4.51030 $451.03
250 4.24496 $1,061.24
500 3.97966 $1,989.83
1,000 3.58169 $3,581.69
2,500 3.44903 $8,622.58
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IPP60R070CFD7XKSA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IPP60R070CFD7XKSA1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IPP60R070CFD7XKSA1
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Descripción MOSFET N-CH TO220-3
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 31 A (Tc) 156W (Tc) PG-TO220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPP60R070CFD7
Archivo de video Infineon 600 V CoolMOS MOSFET Family | Digi-Key Daily
Producto destacado 600 V CoolMOS™ CFD7 MOSFET Family
Modelos de simulación MOSFET CoolMOS™ CFD7 600V Spice Model
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™ CFD7
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 31 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 70mOhm a 15.1A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5V a 760µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 67nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2721pF @ 400V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 156W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar 50
Otros nombres IPP60R070CFD7
SP001617976