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IPP600N25N3GXKSA1 Canal N Orificio pasante 250V 25 A (Tc) 136 W (Tc) PG-TO220-3-1
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1 3.10000 $3.10
10 2.79600 $27.96
100 2.24710 $224.71
500 1.74770 $873.85
1,000 1.44810 $1,448.10

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP600N25N3GXKSA1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPP600N25N3GXKSA1

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Descripción MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 250V 25 A (Tc) 136 W (Tc) PG-TO220-3-1

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Documentos y medios
Hojas de datos IPx600N25N3 G
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 250V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 25 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 60 mOhm a 25 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 90 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 29nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2350pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 136 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
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Otros nombres IPP600N25N3 G
IPP600N25N3 G-ND
IPP600N25N3G
SP000677832

17:21:51 1/19/2019