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IPP530N15N3GXKSA1 Canal N Orificio pasante 150V 21 A (Tc) 68 W (Tc) PG-TO220-3-1
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP530N15N3GXKSA1-ND
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Cantidad disponible 1,353
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPP530N15N3GXKSA1

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Descripción MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 150V 21 A (Tc) 68 W (Tc) PG-TO220-3-1

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Documentos y medios
Hojas de datos IPx530N15N3G
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Otro PCN Multiple Changes 09/Jul/2014
Modelos de simulación OptiMOS™ Power MOSFET 150V N-Channel Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 21 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 8 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 53 mOhm a 18 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 35 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 887pF @ 75V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 68 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP530N15N3 G
IPP530N15N3 G-ND
IPP530N15N3G
SP000521722
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.88000 $1.88
10 1.69800 $16.98
100 1.36440 $136.44
500 1.06120 $530.60
1,000 0.87927 $879.27

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08:59:57 9/24/2018