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IPP50R299CPXKSA1 Canal N Orificio pasante 550V 12 A (Tc) 104 W (Tc) PG-TO220-3-1
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP50R299CPXKSA1-ND
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Cantidad disponible 34,249
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPP50R299CPXKSA1

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Descripción MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 550V 12 A (Tc) 104 W (Tc) PG-TO220-3-1

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Documentos y medios
Hojas de datos IPP50R299CP
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Producto destacado Data Processing Systems
Modelos de simulación CoolMOS™ Power MOSFET 500V C3 Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 550V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 299 mOhm a 6.6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 440 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 31nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1190pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 104 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP50R299CP
IPP50R299CPIN
IPP50R299CPIN-ND
IPP50R299CPXK
SP000680938
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.61000 $2.61
10 2.36100 $23.61
100 1.89740 $189.74
500 1.47576 $737.88
1,000 1.22278 $1,222.78

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15:51:36 9/23/2018