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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP50R199CPXKSA1-ND
Cantidad disponible 320
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP50R199CPXKSA1

Descripción MOSFET N-CH 550V 17A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 550V 17 A (Tc) 139 W (Tc) PG-TO220-3-1

Documentos y medios
Hojas de datos IPP50R199CP
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Módulos de capacitación sobre el producto Power Factor Correction
Producto destacado Data Processing Systems
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 550V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 17 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 199 mOhm a 9.9 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 660 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 45nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1800pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 139 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres IPP50R199CP
IPP50R199CP-ND
SP000680934

09:13:13 6/25/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.56000 $3.56
10 3.17700 $31.77
100 2.60490 $260.49
500 2.10932 $1,054.66
1,000 1.77894 $1,778.94

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