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IPP50R199CPXKSA1 Canal N Orificio pasante 550V 17 A (Tc) 139 W (Tc) PG-TO220-3-1
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1 3.40000 $3.40
50 2.73460 $136.73
100 2.49150 $249.15
500 2.01754 $1,008.77
1,000 1.70155 $1,701.55

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP50R199CPXKSA1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPP50R199CPXKSA1

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Descripción MOSFET N-CH 550V 17A TO-220
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 550V 17 A (Tc) 139 W (Tc) PG-TO220-3-1

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Documentos y medios
Hojas de datos IPP50R199CP
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 550V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 17 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 199 mOhm a 9.9 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 660 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 45nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1800pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 139 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres IPP50R199CP
IPP50R199CP-ND
SP000680934

23:32:42 11/15/2018