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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP50R199CPXKSA1-ND
Cantidad disponible 324
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP50R199CPXKSA1

Descripción MOSFET N-CH 550V 17A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 550V 17 A (Tc) 139 W (Tc) PG-TO220-3-1

Documentos y medios
Hojas de datos IPP50R199CP
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Producto destacado Data Processing Systems
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 550V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 17 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 660 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 45nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1800pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 139 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 199 mOhm a 9.9 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres IPP50R199CP
IPP50R199CP-ND
SP000680934

01:41:17 2/21/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.25000 $3.25
10 2.90400 $29.04
100 2.38110 $238.11
500 1.92808 $964.04
1,000 1.62609 $1,626.09

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