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IPP50N10S3L16AKSA1 Canal N Orificio pasante 100V 50 A (Tc) 100 W (Tc) PG-TO220-3-1
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1 1.72000 $1.72
10 1.55600 $15.56
100 1.25040 $125.04
500 0.97252 $486.26
1,000 0.80579 $805.79

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP50N10S3L16AKSA1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPP50N10S3L16AKSA1

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Descripción MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 50 A (Tc) 100 W (Tc) PG-TO220-3-1

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Documentos y medios
Hojas de datos IPx50N10S3L-16
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Producto destacado Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN Wafer Test Add 27/Apr/2017
Modelos de simulación OptiMOS-T-100V-Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 15.7 mOhm a 50 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.4 V a 60 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 64nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4180pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 100 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP50N10S3L-16
IPP50N10S3L-16-ND
IPP50N10S3L16
SP000407118

10:28:57 12/13/2018