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IPP50N10S3L16AKSA1 Canal N Orificio pasante 100V 50 A (Tc) 100 W (Tc) PG-TO220-3-1
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP50N10S3L16AKSA1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPP50N10S3L16AKSA1

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Descripción MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 50 A (Tc) 100 W (Tc) PG-TO220-3-1

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Documentos y medios
Hojas de datos IPx50N10S3L-16
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Producto destacado Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN Wafer Test Add 27/Apr/2017
Modelos de simulación OptiMOS-T-100V-Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 15.7 mOhm a 50 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.4 V a 60 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 64nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4180pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 100 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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  • MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
  • Precio unitario $1.57000
  • IPP180N10N3GXKSA1-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP50N10S3L-16
IPP50N10S3L-16-ND
IPP50N10S3L16
SP000407118
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.80000 $1.80
10 1.62700 $16.27
100 1.30720 $130.72
500 1.01672 $508.36
1,000 0.84242 $842.42

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00:27:14 9/20/2018