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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP200N25N3GXKSA1-ND
Cantidad disponible 1,626
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP200N25N3GXKSA1

Descripción MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 250V 64 A (Tc) 300 W (Tc) PG-TO-220-3

Documentos y medios
Hojas de datos IPx200N25N3 G
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 250V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 64 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 270 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 86nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7100pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 20 mOhm a 64 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP200N25N3 G
IPP200N25N3 G-ND
IPP200N25N3G
SP000677894

08:07:54 2/20/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 7.67000 $7.67
10 6.85100 $68.51
100 5.61770 $561.77
500 4.54894 $2,274.47
1,000 3.83645 $3,836.45

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