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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP200N15N3GXKSA1-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP200N15N3GXKSA1

Descripción MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 20 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 150V 50 A (Tc) 150 W (Tc) PG-TO-220-3

Documentos y medios
Hojas de datos IPx200N15N3 G
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Data Processing Systems
Obsolescencia PCN/ EOL Mult Dev EOL 20/Oct/2015
Otro PCN Multiple Changes 09/Jul/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 8 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 90 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 31nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1820pF @ 75V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 150 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 20 mOhm a 50 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP200N15N3 G
IPP200N15N3 G-ND
IPP200N15N3G
SP000680884

04:12:14 2/22/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.91000 $2.91
10 2.63300 $26.33
100 2.11560 $211.56
500 1.64550 $822.75
1,000 1.36341 $1,363.41

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