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IPP200N15N3GXKSA1 Canal N Orificio pasante 150V 50 A (Tc) 150W (Tc) PG-TO220-3
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.75000 $2.75
10 2.46900 $24.69
25 2.32920 $58.23
100 1.81680 $181.68
250 1.77024 $442.56
500 1.53730 $768.65
1,000 1.30438 $1,304.38
2,500 1.28575 $3,214.37
5,000 1.19258 $5,962.88
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IPP200N15N3GXKSA1

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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IPP200N15N3GXKSA1
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Descripción MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
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Plazo estándar del fabricante 13 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 150V 50 A (Tc) 150W (Tc) PG-TO220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPx200N15N3 G
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 8V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 20mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 90µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 31nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1820pF @ 75V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 150W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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