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IPP12CN10LGXKSA1 Canal N Orificio pasante 100V 69 A (Tc) 125 W (Tc) PG-TO-220-3
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10 1.75200 $17.52
100 1.40800 $140.80
500 1.09514 $547.57
1,000 0.90740 $907.40
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP12CN10LGXKSA1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPP12CN10LGXKSA1

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Descripción MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 69 A (Tc) 125 W (Tc) PG-TO-220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPP,IPS12CN10L G
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Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 69 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 12 mOhm a 69 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.4 V a 83 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 58nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5600pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 125 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP12CN10L G
IPP12CN10L G-ND
IPP12CN10LG
SP000680864

20:42:58 10/23/2018