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IPP120P04P4L03AKSA1 Canal P Orificio pasante 40V 120 A (Tc) 136 W (Tc) PG-TO220-3-1
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP120P04P4L03AKSA1-ND
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Cantidad disponible 230
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPP120P04P4L03AKSA1

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Descripción MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3
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Descripción detallada

Canal P Orificio pasante 40V 120 A (Tc) 136 W (Tc) PG-TO220-3-1

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Documentos y medios
Hojas de datos IPx120P04P4L-03
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN Wafer Test Add 27/Apr/2017
Modelos de simulación OptiMOS-P2-Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.4 mOhm a 100 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.2 V a 340 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 234nC @ 10V
Vgs (máx.) ±16 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 15000pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 136 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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  • 1727-2498-1-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SP000842300
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.17000 $3.17
10 2.86600 $28.66
100 2.30310 $230.31
500 1.79132 $895.66
1,000 1.48424 $1,484.24

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12:50:25 9/22/2018