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IPP120N08S403AKSA1 Canal N Orificio pasante 80V 120 A (Tc) 278 W (Tc) PG-TO220-3-1
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1 4.90000 $4.90
10 4.37500 $43.75
100 3.58730 $358.73
500 2.90480 $1,452.40
1,000 2.44983 $2,449.83

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP120N08S403AKSA1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPP120N08S403AKSA1

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Descripción MOSFET N-CH TO220-3
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 80V 120 A (Tc) 278 W (Tc) PG-TO220-3-1

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Documentos y medios
Hojas de datos IPx120N08S4-03
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.8 mOhm a 100 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 223 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 167nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 11550pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 278 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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