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10 7.68000 $76.80
100 6.31480 $631.48
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP110N20NAAKSA1-ND
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Cantidad disponible 638
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPP110N20NAAKSA1

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Descripción MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Copiar   MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 200V 88 A (Tc) 300W (Tc) PG-TO220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPx(107,110)N20NA
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Modelos de simulación OptiMOS™ Power MOSFET 200V N-Channel Spice Model
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptimWatt™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 88 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 10.7mOhm a 88A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 270µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 87nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7100pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP110N20NA
IPP110N20NA-ND
SP000877672

04:56:32 4/26/2019