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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP057N06N3GXKSA1-ND
Cantidad disponible 1,094
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP057N06N3GXKSA1

Descripción MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 60V 80 A (Tc) 115 W (Tc) PG-TO-220-3

Documentos y medios
Hojas de datos IPx054,57N06N3 G
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Obsolescencia PCN/ EOL Mult Dev EOL 20/Oct/2015
Ensamble/origen de PCN OptiMOS Assembly Site Add 2/Jan/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 80 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.7 mOhm a 80 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 58 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 82nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6600pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 115 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP057N06N3 G
IPP057N06N3 G-ND
IPP057N06N3G
SP000680808

12:41:36 6/20/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.61000 $1.61
10 1.42600 $14.26
100 1.12700 $112.70
500 0.87400 $437.00
1,000 0.69000 $690.00

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