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IPP057N06N3GXKSA1 Canal N Orificio pasante 60V 80 A (Tc) 115 W (Tc) PG-TO220-3
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10 1.44000 $14.40
100 1.15400 $115.40
500 0.91200 $456.00
1,000 0.73600 $736.00
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP057N06N3GXKSA1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPP057N06N3GXKSA1

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Descripción MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 60V 80 A (Tc) 115 W (Tc) PG-TO220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPx054,57N06N3 G
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Obsolescencia PCN/ EOL Mult Dev EOL 20/Oct/2015
Ensamble/origen de PCN OptiMOS Assembly Site Add 2/Jan/2018
Modelos de simulación OptiMOS™ Power MOSFET 60V N-Channel Spice Model
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 80 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.7 mOhm a 80 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 58 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 82nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6600pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 115 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP057N06N3 G
IPP057N06N3 G-ND
IPP057N06N3G
SP000680808

07:45:17 1/19/2019