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IPP052NE7N3GXKSA1 Canal N Orificio pasante 75V 80 A (Tc) 150W (Tc) PG-TO220-3-1
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10 2.07000 $20.70
100 1.52350 $152.35
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IPP052NE7N3GXKSA1

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Número de pieza del fabricante IPP052NE7N3GXKSA1
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Descripción MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
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Plazo estándar del fabricante 13 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 75V 80 A (Tc) 150W (Tc) PG-TO220-3-1

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Modelos de simulación MOSFET OptiMOS™ 75V N-Channel Spice Model
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 75V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 80 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.2mOhm a 80A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.8V a 91µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 68nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4750pF @ 37.5V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 150W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar 50
Otros nombres IPP052NE7N3 G
IPP052NE7N3 G-ND
IPP052NE7N3G
SP000641726