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IPP052N08N5AKSA1 Canal N Orificio pasante 80V 80 A (Tc) 125 W (Tc) PG-TO-220-3
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10 2.31600 $23.16
100 1.86070 $186.07
500 1.44722 $723.61
1,000 1.19912 $1,199.12

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP052N08N5AKSA1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPP052N08N5AKSA1

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Descripción MOSFET N-CH TO220-3
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 80V 80 A (Tc) 125 W (Tc) PG-TO-220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPP052N08N5
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 80 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.2 mOhm a 80 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.8 V a 66 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 53nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3770pF @ 40V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 125 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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