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IPP045N10N3GXKSA1 Canal N Orificio pasante 100V 100 A (Tc) 214 W (Tc) PG-TO-220-3
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.94000 $2.94
10 2.65700 $26.57
100 2.13470 $213.47
500 1.66032 $830.16
1,000 1.37569 $1,375.69
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP045N10N3GXKSA1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPP045N10N3GXKSA1

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Descripción MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 100 A (Tc) 214 W (Tc) PG-TO-220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPP045N10N3 G
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.5 mOhm a 100 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 150 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 117nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8410pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 214 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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IPP045N10N3 G-ND
IPP045N10N3G
SP000680794

19:25:45 11/15/2018