Agregar a favoritos
IPP045N10N3GXKSA1 Canal N Orificio pasante 100V 100 A (Tc) 214 W (Tc) PG-TO-220-3
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP045N10N3GXKSA1-ND
Copiar   IPP045N10N3GXKSA1-ND
Cantidad disponible 10,341
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

IPP045N10N3GXKSA1

Copiar   IPP045N10N3GXKSA1
Descripción MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Copiar   MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 100 A (Tc) 214 W (Tc) PG-TO-220-3

Copiar   Canal N Orificio pasante 100V 100 A (Tc) 214 W (Tc) PG-TO-220-3
Documentos y medios
Hojas de datos IPP045N10N3 G
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Robotics and Automated Guided Vehicles (AGV)
Obsolescencia PCN/ EOL Mult Dev EOL 20/Oct/2015
Modelos de simulación OptiMOS™ Power MOSFET 100V N-Channel Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.5 mOhm a 100 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 150 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 117nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8410pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 214 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
También le puede interesar
  • IPP083N10N5AKSA1 - Infineon Technologies | IPP083N10N5AKSA1-ND DigiKey Electronics
  • IPP083N10N5AKSA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH TO220-3
  • Precio unitario $2.00000
  • IPP083N10N5AKSA1-ND
  • IPP030N10N5AKSA1 - Infineon Technologies | IPP030N10N5AKSA1-ND DigiKey Electronics
  • IPP030N10N5AKSA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH TO220-3
  • Precio unitario $5.74000
  • IPP030N10N5AKSA1-ND
  • IPP023N10N5AKSA1 - Infineon Technologies | IPP023N10N5AKSA1-ND DigiKey Electronics
  • IPP023N10N5AKSA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
  • Precio unitario $7.24000
  • IPP023N10N5AKSA1-ND
  • S2B-XH-A(LF)(SN) - JST Sales America Inc. | 455-2257-ND DigiKey Electronics
  • S2B-XH-A(LF)(SN)
  • JST Sales America Inc.
  • CONN HEADER XH SIDE 2POS 2.5MM
  • Precio unitario $0.17000
  • 455-2257-ND
  • LG R971-KN-1 - OSRAM Opto Semiconductors Inc. | 475-1410-1-ND DigiKey Electronics
  • LG R971-KN-1
  • OSRAM Opto Semiconductors Inc.
  • LED GREEN DIFFUSED 0805 SMD
  • Precio unitario $0.36000
  • 475-1410-1-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP045N10N3 G
IPP045N10N3 G-ND
IPP045N10N3G
SP000680794
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.07000 $3.07
10 2.77700 $27.77
100 2.23170 $223.17
500 1.73578 $867.89
1,000 1.43822 $1,438.22

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

17:45:16 9/19/2018