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IPP041N04NGXKSA1 Canal N Orificio pasante 40V 80 A (Tc) 94 W (Tc) PG-TO220-3-1
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP041N04NGXKSA1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPP041N04NGXKSA1

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Descripción MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 40V 80 A (Tc) 94 W (Tc) PG-TO220-3-1

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Documentos y medios
Hojas de datos IPB, IPP041N04NG
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 80 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.1 mOhm a 80 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 45 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 56nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4500pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 94 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP041N04N G
IPP041N04N G-ND
IPP041N04NG
SP000680790

12:49:57 1/16/2019