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IPP037N08N3GXKSA1 Canal N Orificio pasante 80V 100 A (Tc) 214W (Tc) PG-TO220-3
Precio y compra
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.36000 $2.36
10 2.12000 $21.20
25 2.00000 $50.00
100 1.56000 $156.00
250 1.52000 $380.00
500 1.32000 $660.00
1,000 1.12000 $1,120.00
2,500 1.10400 $2,760.00
5,000 1.02400 $5,120.00
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IPP037N08N3GXKSA1

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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IPP037N08N3GXKSA1
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Descripción MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
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Plazo estándar del fabricante 13 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 80V 100 A (Tc) 214W (Tc) PG-TO220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPx035N08N3 G
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Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.75mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5V a 155µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 117nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8110pF @ 40V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 214W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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IPP037N08N3G
SP000680776