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IPP037N08N3GXKSA1 Canal N Orificio pasante 80V 100 A (Tc) 214 W (Tc) PG-TO-220-3
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1 2.88000 $2.88
10 2.61600 $26.16
100 2.13200 $213.20
500 1.69200 $846.00
1,000 1.42800 $1,428.00
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP037N08N3GXKSA1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPP037N08N3GXKSA1

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Descripción MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 80V 100 A (Tc) 214 W (Tc) PG-TO-220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPx035N08N3 G
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Modelos de simulación MOSFET OptiMOS™ 80V N-Channel Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.75 mOhm a 100 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 155 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 117nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8110pF @ 40V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 214 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP037N08N3 G
IPP037N08N3 G-ND
IPP037N08N3G
SP000680776

22:31:09 11/20/2018