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IPP023N04NGXKSA1 Canal N Orificio pasante 40V 90 A (Tc) 167 W (Tc) PG-TO-220-3
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10 2.00200 $20.02
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500 1.25126 $625.63
1,000 1.03675 $1,036.75

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP023N04NGXKSA1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPP023N04NGXKSA1

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Descripción MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 40V 90 A (Tc) 167 W (Tc) PG-TO-220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPB,IPP023N04N G
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 90 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.3 mOhm a 90 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 95 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 120nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 10000pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 167 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP023N04N G
IPP023N04N G-ND
IPP023N04NGBKSA1
SP000680762

05:57:23 12/10/2018