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10 4.94600 $49.46
25 4.67600 $116.90
100 3.74080 $374.08
250 3.53296 $883.24
500 3.32512 $1,662.56
1,000 2.84713 $2,847.13

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  • Cinta y rollo (TR)  : IPLU300N04S4R8XTMA1TR-ND
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  • Digi-Reel®  : IPLU300N04S4R8XTMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 7,639 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IPLU300N04S4R8XTMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IPLU300N04S4R8XTMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IPLU300N04S4R8XTMA1
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Descripción MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
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Plazo estándar del fabricante 20 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 300 A (Tc) 429W (Tc) PG-HSOF-8-1

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Documentos y medios
Hojas de datos IPLU300N04S4-R8
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 300 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 0.77mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 230µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 287nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 22945pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 429W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-HSOF-8-1
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerSFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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