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IPL60R299CPAUMA1 Canal N Montaje en superficie 650V 11.1 A (Tc) 96 W (Tc) PG-VSON-4
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1 3.41000 $3.41
10 3.07600 $30.76
100 2.47200 $247.20
500 1.92268 $961.34
1,000 1.59307 $1,593.07

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPL60R299CPAUMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPL60R299CPAUMA1

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Descripción MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 650V 11.1 A (Tc) 96 W (Tc) PG-VSON-4

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Documentos y medios
Hojas de datos IPL60R299CP
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11.1 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 299 mOhm a 6.6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 440 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 22nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1100pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 96 W (Tc)
Temperatura de operación -40 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-VSON-4
Paquete / Caja (carcasa) 4-PowerTSFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 2A (4 semanas)
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  • Cantidad disponible: 0
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17:24:26 11/18/2018