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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPI80N04S403AKSA1-ND
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Cantidad disponible 489
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPI80N04S403AKSA1

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Descripción MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3-1
Copiar   MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3-1
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 40V 80 A (Tc) 94 W (Tc) PG-TO262-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPx80N04S4-03
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Producto destacado Data Processing Systems
Modelos de simulación OptiMOS-T2-40V-Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 80 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.7 mOhm a 80 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 53 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 66nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5260pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 94 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO262-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPI80N04S4-03
IPI80N04S4-03-ND
SP000671634

19:35:00 12/11/2018