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10 0.81600 $8.16
25 0.77480 $19.37
100 0.58110 $58.11
500 0.49252 $246.26
1,000 0.40122 $401.22
2,500 0.39568 $989.20

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  • Cinta y rollo (TR)  : IPG20N06S4L26ATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 10,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.35971
  • Digi-Reel®  : IPG20N06S4L26ATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 12,536 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IPG20N06S4L26ATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IPG20N06S4L26ATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IPG20N06S4L26ATMA1
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Descripción MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

MOSFET - Arreglos Dos canal N (doble) 60V 20A 33W Montaje en superficie PG-TDSON-8-4

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Documentos y medios
Hojas de datos IPG20N06S4L-26
Producto destacado Data Processing Systems
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Hoja de datos de HTML IPG20N06S4L-26
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 20A
Rds On (máx) @ Id, Vgs 26mOhm a 17A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2.2V a 10µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1430pF a 25V
Potencia - Máx. 33W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-4
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres IPG20N06S4L26ATMA1CT