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10 1.10800 $11.08
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPG20N04S4L11ATMA1CT-ND
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Cantidad disponible 18,872
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPG20N04S4L11ATMA1

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Descripción MOSFET 2N-CH 8TDSON
Copiar   MOSFET 2N-CH 8TDSON
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 40V 20 A 41W Montaje en superficie PG-TDSON-8-4

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Documentos y medios
Hojas de datos IPG20N04S4L-11
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Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 11.6mOhm a 17A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.2V a 15µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 26nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1990pF a 25V
Potencia máxima 41W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-4
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 18,872 - Inmediata
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19:43:57 4/23/2019